大家可能对93.277MPa没有概念，作为对比，目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa，美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。
银烧结技术具有方面的成本效益，包括高吞吐量、低成本、高良率和低人工成本等。时至今日，已经有不少厂商提供采用银烧结技术制造的功率模块，
现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。
现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。
善仁新材建议：烧结温度、烧结压力、烧结气氛都对会银烧结环节产生较大影响，这就需要的设备来配合一起解决这些问题。
随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境，相应的封装材料和结构，尤其是芯片-基板的互连，在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。
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