快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,直插超快速恢复作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。
快速管主要按恢复时间快慢分为三种,分别为75-500ns(快恢复FR系列)、35-75ns(高频HER系列)、35ns以内(超快恢复SF系列)。电压为200-1200V,电压一定恢复时间越快其正向压降越大。同样道理电压选型较大的方案上会加大做小恢复时间的难度。传统超快恢复二极管TRR在35ns以内,电压只做到600V。我司目前已推出三款高压超快恢复二极管芯片800V、1000V、1200V 电流分布区间为3-20A,可适用于所有封装外形。
快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术,其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode,简称FRD)是一种具有快速反向恢复时间的二极管。它在电源电路和高速开关电路中应用广泛,可以提高整流效率、降低电源噪声、减少开关损耗,提高电路的可靠性和稳定性。
随着电子技术的不断发展,人们对快恢复二极管的要求也越来越高。未来,快恢复二极管将具有以下发展趋势(1)提高电流密度:提高快恢复二极管的电流密度,以适应更高功率的电源和开关应用。(2)降低反向漏电流:降低快恢复二极管的反向漏电流,提高其可靠性和稳定性。
(3)继续提高开关速度:提高快恢复二极管的反向恢复时间和开关速度,以适应更高频率的开关应用。
(4)提高耐辐照性能:提高快恢复二极管的耐辐照性能,以适应更严苛的环境要求。
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