2.45 GHz 微波等离子体源是一种用于产生等离子体的设备，它利用 2.45 GHz（千兆赫）的微波频率来产生电离气体。这种技术在各种工业和科学应用中都有重要应用。
材料处理：微波等离子体源可用于表面处理、薄膜沉积和蚀刻工艺。它们可以帮助在各种材料上沉积薄膜，或改变材料的表面特性。
电子器件制造：ECR等离子体源在半导体工业中，微波等离子体源可用于清洁晶圆、蚀刻硅片和沉积薄膜层。其结构小巧，可以多个等离子体源组成等离子墙，或者不同形状以使之便于不同情况的工程应用。
微波等离子体源的设计和操作可能很复杂，需要仔细控制微波功率、气体流量和压力等参数。此外，采取适当的安全预防措施，因为微波辐射和高电压可能存在危险。 总之，2.45GHz 微波等离子体源是一种强大的工具，在许多需要产生等离子体的应用中都有应用。它们提供了一种、灵活的方法来控制等离子体过程，从而实现各种工业和科学应用。
Sirem微波等离子体源源被设计成立或远程操作、良好的电力稳定性和显著低电力损耗。 详细和交互式的界面使它们易于操作、使用，可以通过RS232、RS485, ETHERNET 或现场总线连接进行模拟控制，如CanOpen、Modbus、Profibus等。
等离子体源溅射是一种物理现象，指的是在等离子体能量密集区域中的离子和电子受到能量激发后从其表面飞出，造成溅射现象。这种现象常常在等离子体物理研究、薄膜沉积和半导体制备过程中出现。
等离子体源溅射通常是通过将能量注入等离子体中，激发其内部原子或分子，使其进入激发态。当这些原子或分子回到基态时，它们会释放出能量并将部分能量转移给周围的粒子，导致粒子从等离子体表面溅射出来。
等离子体源溅射在许多应用中都具有重要作用，例如在薄膜沉积过程中，通过控制等离子体源溅射可以调节薄膜的成分和结构，从而影响薄膜的性能。此外，等离子体源溅射也被应用于半导体制备过程中，用来清洁和改性半导体表面，以提高器件的性能和稳定性。
直流、高频、脉冲高压测试专家北极星高压传感器PVM-11
面议
产品名：高压探头,北极星NORTHSTAR
C3093-6dB耦合器报价及图片功率放大器测试
面议
产品名：耦合器,Werlatone耦合器
700-2700MHz合路器D9853电磁兼容测试
面议
产品名：合路器,射频合路器、功分器
Hi-Wave等离子体源表明极化等离子体源火炬
面议
产品名：等离子体源,等离子体源火炬
ECR同轴等离子体源等离子体源火炬等离子体源墙
面议
产品名：等离子体源,等离子体源火炬
北极星高压探头PVM-6
面议
产品名：高压探头,北极星NORTHSTAR
北极星高压传感器直流、高频、脉冲高压测试专家VD-200
面议
产品名：高压探头,北极星NORTHSTAR
C10070-40dB耦合器报价及图片功率放大器
面议
产品名：耦合器,Werlatone耦合器