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每个电子元器件制造生产企业都会存在电子呆料、废料的情况，如何处理比较合理？从以往的电子呆料处理市场反馈来说，大部分企业都有自己长期的处理渠道，一般来说就是有固定的3个左右回收商合作，但是也有弊端，因为封闭性导致没有市场数据参入，厂家会觉得价格卖得低，回收商会觉得价格收得高，都是想着能利润。
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存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广，有很多层次，在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
电子回收市场数据是怎样的呢？通过我们自身的行业经验、积累的数据来分析得出一个普遍的贬值率：电子呆料库存1年内成本回收5-6成，2年到5年能回收1-3成 。欢迎有呆料、尾料的工厂联系钱小姐.
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电容回收
法拉电容又叫双电层电容器、黄金电容、超级电容器，是从上个世纪七八十年代发展起来的一种化学元件。超级电容器通过极化电解质来储能，但不发生化学反应，而且储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。法拉电容金额普通电容的区别是容量上的差别。普通电容器容量大在1万~4万微法，超级电容器大容量可达数千法拉，1法拉=100万微法，所以超级电容又叫做法拉电容。
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MOS管回收
mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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IC回收
IC芯片(Integrated Circuit集成电路)是将大量的微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。而今几乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路为杰克·基尔比（基于锗的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
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芯片在使用过程中，电子在不停撞击着金属铜，把它推向一侧，另导线断裂。热载流子会撞击栅极氧化层，令其损坏，导致器件失效，即所谓的HCI。在高温下，介电层会慢慢的失效，导致本来隔离的两个部分之间发生短路，所谓的TDDB。也就是说芯片也是有寿命的，芯片就是会坏的。
三极管回收
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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