与TCO层有良好的接触，接触电阻低，可提升FF；焊接拉力强：银浆低温烧结后的电路焊接性能好，拉力达到2.0N/mm 以上；
链式吸杂：使用磷酸在一定温度下在硅片表面形成磷硅玻璃，达到将硅片内的金属杂质吸出的作用；
清洗制绒：利用碱对硅的各向异性刻蚀原理，在形成硅片表面形成金字塔形状，达到陷光目的；同时使用改良RCA清洗工艺对硅片表面进行清洗，为下一步镀膜做准备；
PEVCD镀膜：利用非晶硅的短话效果在硅片表面沉积本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，从而形成PN结。工艺过程主要采用RF电源将硅烷（SiH)、氢气（H）等其他工艺气体激发为等离子体态，并相互反应，终以薄膜形式沉积在硅片表面；
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