在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度，可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说，低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充，⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明，电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外，
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术，具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中，通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术，以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。
目
TSV制程关键⼯艺设备
TSV制作⼯艺包括以下⼏步:通孔制作;绝缘层、阻挡层和种⼦层的 沉积;铜填充;
通过化学机械抛光去除多余的⾦属;晶圆减薄;晶圆键合 等。 每⼀步⼯艺都有相
当的技术难度，在通孔制作步骤，保持孔的形状和控制 ⻆度非常重要，通过
Bosch⼯艺来实现深孔刻蚀;在沉积绝缘层、阻挡层 和种⼦层时，需要考虑各层
的均匀性和粘附性;铜填充时避免空洞等 缺陷，这样填充的铜可以在叠层
器件较⾼的温度下保持正常的电性能;⼀ 旦完成了铜填充，则需要对晶圆进⾏
减薄;后是进⾏晶圆键合。
国内外研究现状
2011年，瑞⼠的微纳系统研究部提出了如下图所示的基于TSV技术圆片级 真空
封装⽅案。该⽅案由TSV封帽与器件层两部分构成，TSV封帽垂直导 通柱是填
充在硅通孔中的铜柱。器件层上制作有⾦锡电极与铜柱相连，从 ⽽把电信号从
空腔内部的引到空腔外部，后通过硅-硅直接键合实现密 封。该⽅案⽓密性
很好，但是TSV封帽制作⼯艺复杂，热应⼒⼤(铜柱与 硅热失配⼤)，且硅硅键
合对键合表面要求质量很⾼，⼀般加⼯过的硅片 很难达到此要求。
汉高乐泰导电胶,杨浦厚膜汉高ABLESTIKJM7000导电胶
面议
产品名：汉高ABLESTIKJM7000导电胶,JM7000导电胶,汉高导电胶,乐泰导电胶
ablestik84-1A导电胶
面议
产品名：导电胶,耐高温导电胶,84-1A导电胶,84-1LMI导电胶
浙江汉高乐泰2850FT环氧灌封胶颜色
面议
产品名：乐泰2850FT环氧灌封胶,2850ft灌封胶,2850灌封胶,环氧灌封胶2850FT
香港进口汉高乐泰144A耐高温环氧胶传感器,乐泰144A
面议
产品名：乐泰144A耐高温环氧胶,乐泰144A单组份环氧胶,乐泰144A,耐高温环氧胶
澳门TSV小型晶圆喷镀台MEMS
面议
产品名：TSV小型晶圆喷镀台,晶圆电镀机,晶圆喷镀机,晶圆电镀台
陕西汉高乐泰2850FT环氧灌封胶代理
面议
产品名：乐泰2850FT环氧灌封胶,2850ft灌封胶,2850灌封胶,环氧灌封胶2850FT
汉高乐泰ablestik3145晶体管胶,甘肃汉高乐泰ablestik3145绝缘导热胶标准
面议
产品名：ablestik3145绝缘导热胶,ablestik 3145二极管胶,ablestik 3145晶体管胶
乐泰2025D绝缘胶,湖南厚膜电路ablestik2025D芯片
面议
产品名：ablestik2025D绝缘胶,2025D绝缘胶,芯片绝缘胶,ablestik 2025D封装胶