镀银早始于1800年，个镀银的专利是1838年由英国伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的镀液为碱性氰化物镀液，与他们发明的碱性氰化物镀黄金体系很类似。一个多世纪以来，镀银液的基本配方和当年的配方差别不大，仅仅是提高了银配位离子浓度以达到快速镀银的目的而已。
年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000A/dm，镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40～75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。
1913年，Frary报道二硫化碳与乙醚、各种酸、氰和亚硫酸的混合物可作为硫氰酸盐镀银的光亮剂，也发现黄原酸钾和砷、锑、锡的硫化物也是有效的光亮剂。后来发现硫脲也是一种镀银光亮剂。当其用量达35～40g/L时，其光亮度可超过二硫化碳衍生物。
