由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。
② 进行预加热干燥，用于排除烧结银中的有机气体等挥发物，然后在高温下进行无压或压力辅助烧结，主要烧结工艺参数有：升温速率、烧结温度、烧结压强、烧结时间和气体环境等;
纳米烧结银互连层的蠕变性能
善仁研究院通过实验发现：蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大，建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。
