深圳回收呆滞电子料收购铂金系列CPU

深圳回收呆滞电子料 收购铂金系列CPU

无锡求购尼吉康电容，咸阳收购接插件，太仓收购锂电池，坂田回收蓝牙IC，台湾回收霍尔元件，江宁收购汽车内存，横栏收购英特尔十三代CPU，谢岗收购希捷硬盘，泰安收购钽电容，花都求购可变电阻，廊坊回收希捷内存，台州求购充电芯片，成都收购EMCP芯片，淮安收购数码产品，南沙回收松下光耦，合肥求购巴伦，顺德收购电表芯片，西乡收购超极本CPU，廊坊收购红宝石电容，石碣求购AMD超盛CPU，南宁求购GPS芯片，杭州收购冠西光耦，台州收购低频管，烟台收购排线，青岛求购音频芯片，塘厦回收贴片光耦，潍坊回收1200万图像传感器，三角回收南亚芯片，东坑收购松下光耦，茶山回收功率模块，坑梓收购凌通芯片，台湾回收松下光耦，深圳回收感光芯片，南朗收购博通IC，惠州回收继电器，栖霞求购记录仪芯片，黄埔求购记录仪芯片，西乡回收晶体管，观澜回收驱动芯片，兰州求购硬盘，泰安收购德州仪器芯片，福永收购光耦，常平回收西部数据硬盘，万江求购主板，西丽回收闪存芯片，石岩收购凌通芯片，龙华求购瑞迪威芯片，龙岗求购松下光耦，潍坊回收南北桥芯片，惠州收购巴米


TLV70025DCKR，LQW15AN9N1G0Z，MSP430G2112IN20，MOC3043SR2M，XVFX100-12FFG1517C，ERJU03J433V，ERG3SJ202J，TB62218FNG，ERA6ARB9762V，CL31C102JDFNNWE，MT29G48MAYAPAKD-6ITES，10-P006PPA020SB-M685BY，DF1506ST-G，TV15C260J-G，ERJU08J202V，INA240PMPWTPSEP，TC74LVX32F，TPS22921YFPR，S9S12GA64F0WLF，TPS3847085DBVR，AMK325AC6157MM-P，PCM1803ADBR，MT44K32M18RB-125E:A，D9RNB，CC1808KKX7REBB102，XCVU-1FLGC1517E，HF32FV/18-HSF，Z9QSF，CB2012T220M，MAX514，RTQ9148-QT，NLV27WZ17DFT2G，C2012CH2W472J125AA，EEE1EA331AP，RHE5G1H121J1K1A03B，GRM033R71C681JA01#，GD25LQ40COIG，IH5049，HFE37/24-2SHT1，LTC2312CTS8-12#TRPBF，DSPB56721AF，HF18FF/024-4Z23D，TRS3243EIPW，UCD3020ARGZR，ECWFE2W155KA，ADA4941-1YCPZ-R7，UMF316B7222KFHT，UPD70F3476GJA-GAE-G，GRM0222C1E4R0CA03#，MAX3190E

先测试出可控硅的峰值电压，将电线正负极连接至K两极，接地线接至室内主接地上，逐渐升压，测试其漏电流数值。进行漏电测试后，逐渐升压，观测漏电流，当数值超过其额定峰值电压后，可控硅被击穿，但采用此方法可能会破坏其PN结，并且只能测试其是否导通，而不能测试其导通是否良好，故不再采用此法进行测试。摇表测试法用摇表对可控硅进行测量，参照之前使用的漏电检测法。为防止摇表法测试过程中击穿或损坏可控硅，改变摇表操作方法，即要对摇表电压和转速进行控制，两笔端链接K极对其进行测试。