新能源车的高速发展，带动不断增大的激光器和驱动芯片功率，对散热提出了更高的挑战。半烧结银AS9330是连接半导体晶体管和元器件的关键材料，起到导电和导热的作用，影响元器件电路导通、功能实现及稳定性。
半烧结银AS9330是为芯片粘接提供了一种无铅(LEAD FREE)的替代方案，适用于高功率密度半导体封装, 符合RoHS要求。
AS9330半烧结银无需高温高压，可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。
半烧结银AS9330可以粘结金、银、铜、镍钯金、引线框架等多种材质，适用∩宽泛的芯片粘结尺寸：从1*1mm2至8*8mm2（Die Size）不等。当然，烧结温度随着芯片尺寸的大小要做适当的调整。
半烧结银AS9330的工艺流程如下：1 清洁芯片和被粘结的界面2 假设界面表面能太低，建议提高界面表面能.
将芯片放到涂有半烧结银AS9330的界面上时，建议加一点压力到上界面压一下； 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度，比如3分钟升高5度等
