氰系镀液过去的主要缺点是使用的电流密度小，现在这个问题也解决了，镀银使电流密度可高达10A/dm，光亮镀银可达1．5～3A/dm，其镀面光滑而无需再打光，也可镀厚。近
年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000A/dm，镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40～75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。
用二硫化碳做光亮剂并不能得到全光亮的银层，且加入镀液后要等一段时间才会发生作用，估计真正的光亮剂是二硫化碳与镀液中的CN一反应生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他种硫化物中的某些化合物。
1913年，Frary报道二硫化碳与乙醚、各种酸、氰和亚硫酸的混合物可作为硫氰酸盐镀银的光亮剂，也发现黄原酸钾和砷、锑、锡的硫化物也是有效的光亮剂。后来发现硫脲也是一种镀银光亮剂。当其用量达35～40g/L时，其光亮度可超过二硫化碳衍生物。
电器、仪表等工业还采用无氰镀银。电镀液用硫代硫酸盐、亚硫酸盐、硫氰酸盐、亚铁氰化物等。为了防止银镀层变色，通常要经过镀后处理，主要是浸亮、化学和电化学钝化，镀贵金属或稀有金属或涂覆盖层等。
镀金回收含金硅质电子废件处：电子工业产品和设备中废弃的含金硅质元件，由于硅的存在而妨碍回收其中的金。为了采用湿法工艺回收金，可先经硅腐蚀剂处理，使烧结在硅片上的金脱落分离，再收集起来送提纯。硅腐蚀剂分酸性的和碱性的。酸性硅腐蚀剂按硝酸：氢氟酸为1∶6～9配制，再稀释至2～3倍，于室温下浸泡除硅。碱性硅腐蚀剂使用10%～30%NaOH液，加热至80～100℃浸煮元件除硅。
