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IR品牌场效应管信息我要推广到这里
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详细说明 需要更多产品详情资料，欢迎联系我们！ 为客户提供电源方案、技术支持等服务。欢迎咨询！ 联系人：温女士 手机：13530305254 电话：0755-82807713 传真：0755-83324492 QQ：..08月31日 -
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2SK3568 产品种类: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技术: Si 封装 / 箱体: TO-220FP-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极..06月06日
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深圳恒立微电子科技有限公司，本公司以研发销售，MOS管（场效应管），硅胶制品等主要产品立足市场。 下单须知：由于电子元器产品价格浮动太大，展示价格不能作为实际成交价格，请于04月06日
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深圳恒立微电子科技有限公司成立以来，集研发，销售一体化。已形成为技术力量雄厚，生产、检测设备，生产规模庞大的事业性制造企业。 本公司以研发销售，MOS管（场效应管03月31日
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MOS管型号：HG1019D 参数：100V 1 封装：DFN3333 内阻：50mR(Vgs=10V) 60mR(Vgs=4.5V) 结电容：310pF 开启电压：1.8V 应用领域：加湿器、雾化器、美容仪、香薰机等 【100V..01月07日
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88888.00元2046 PREAMP/DI凭借着bblaudio独特的场效应管电路技术，音色自成一派而备受欢迎，全新一代2046采用优雅精致的外观设计，新增了LED失真指示灯和5段LED输出电平灯，让录音监视电平变得更直观。2..08月29日
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MOS场效应管 P9NK70ZFP TO-220 STP9NK70ZFP 9A700V 深圳市麒芯电子有限公司 经营场所：深圳市福田区华强广场D座24C 联系人：欧阳佳豪 手机：13699750080 QQ:794933422 型号较..12月10日
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德国IXYS 场效应/MOS管 IXTQ460P2 全新原装现货 IXYS场效应管 IXYS二极管 IXYS快恢复二极管 深圳市永创硕电子科技有限公司是一家专业电子元器件及磁性材料代理经销企业，公司成立于200..11月07日
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德国IXYS 场效应管 IXFH60N50P3 全新原装大量现货 IXYS二极管 IXYS快恢复二极管 IXYS场效应管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二极管 IXYS整流二极管 现货供应 质优价廉 专业代理 原装进口 更多..11月07日
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原装IXYS场效应管/MOS管 IXTQ480P2 现货直销，特价优惠，量多从优 IXYS二极管，IXYS快恢复二极管，IXYS场效应管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二极管 IXYS整流二极管 ，IXYS MOS管 艾赛斯可控硅 I..11月07日
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原装IXYS场效应管/MOS管 IXFK94N50P2 现货直销，特价优惠，量多从优 IXYS二极管，IXYS快恢复二极管，IXYS场效应管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二极管 IXYS整流二极管 ，IXYS MOS管 艾赛斯可控硅..11月07日
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15.50元供应场效应管IIXFH34N65X2 德国IXYS艾赛斯代理 IXYS二极管，IXYS快恢复二极管，IXYS场效应管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二极管 IXYS整流二极管 ，IXYS MOS管 艾赛斯可控硅 IXYS IGBT 艾赛斯..11月07日
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IXYS 场效应管 IXFH44N50P 全新原厂原装大量现货 深圳市永创硕电子科技有限公司是一家专业电子元器件及磁性材料代理经销企业，公司成立于2005年，总部位于深圳CBD中央商务区，并在深圳，香11月02日
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场效应管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供应场效应管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封装：SOT23-6原装现货供应可提供样品测试和技术支持。如需更多了解更多型号及详细信息DEMO或者规格书欢迎..06月28日
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0.10元PMOS 场效应管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原装。产品分类MOSFETs晶体管FET类型P沟道漏源电压(Vdss)20V导通电阻Rds On(Max)260mΩ栅极电荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作温度(Tj)-55°C~15..06月28日
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7000.00元中国耗尽型结型场效应管市场投资策略及前景趋势预测报告2024-2030年 ★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修订】：2024年6月【出版机构】：中智信投研究网【内容部分有删减·详细可参中智信投研究网..06月28日
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7000.00元中国N型金氧半场效应管市场发展趋势及前景深度研究报告2024-2030年★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修订】：2024年6月【出版机构】：中智信投研究网【内容部分有删减·详细可参中智信投研究网出..06月28日
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3.00元MT11G035B= 100V MOSFET技术，经过特优化，可提供的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗都小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。06月28日
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面议MT3287---n沟道功率MOSFET MT3287/B在V =10V,I =40A时大R (on)=6.8m R (on)沟槽技术，可实现极低的to - 220lb - 3l TO-263-2L高功率和电流处理能力D R (on)和快速开关速度。该n沟道MOSFET专为..06月28日
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