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功率肖特基二极管信息我要推广到这里
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碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Diodes Voltage level Part Number VR（V） IF（A） PD (W) 25℃ VF（V）Typ IR（µA）Typ QC（nC） Package CH3D25170H 1700 25 375 ..07月12日 -
温馨提示：由于本公司的型号特别多，价格无法一一报价，只做形式上的报价，如有需要请联系我们的客服，以客服终报价为准。带来不便之处敬请谅解！！！ Cree的市场优势来源于碳化硅07月13日
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肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有..12月19日
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功率二极管是功率半导体器件的重要组成部分，主要包括 PiN 二极管，肖特基势垒二极管和结势垒控制肖特基二极管。本章主要介绍了肖特基势垒的形成及其主要电流输运机理。并详细介绍了肖特基二..12月19日
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面议肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有..12月19日
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SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载..12月19日
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面议肖特基二极管的独特之处在于其快速的反向恢复时间，可在几纳秒的范围内。同时，它的正向电流也能达到儿千安培，具备大电流、低功耗、超高速等特性。相较于传统PN结二极管，肖特基二极管的正向..12月19日
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功率二极管是功率半导体器件的重要组成部分，主要包括 PiN 二极管，肖特基势垒二极管和结势垒控制肖特基二极管。本章主要介绍了肖特基势垒的形成及其主要电流输运机理。并详细介绍了肖特基二..12月19日
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SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载..12月19日
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国内的SiC功率器件研究方面因为受到 SiC 单晶材料和外延设备的限制起步比较晚，但是却紧紧跟踪国外碳化硅器件的发展形势。国家十分重视碳化硅材料及其器件的研究， 在国家的大力支持下经已经..12月19日
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SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续..12月19日
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SiC 肖特基势垒二极管在 1985 年问世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基势垒高度用电容测量是 1.15 (±0.15) eV，用光响应测量是 1.11 (±0.03) eV，它的击穿电压只有8 V，第一只6H-S..12月19日
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SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载..12月19日
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面议SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续..12月19日
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肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大..12月19日
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面议肖特基二极管在电路中有着广泛的应用，包括但不限于整流、续流、保护和小信号检波等功能。它特别适用于低电压、大电流的电路，如驱动器、开关电源、变频器和逆变器等。这些领域中，肖特基二极..12月19日
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面议肖特基二极管，一种与传统PN结二极管不同的电子元件，借助金属和半导体之间的势垒效应产生整流效果。在电子学中，这种接触被称为“金属半导体结”，简称肖特基势垒二极管，通常被称为肖特基二极..12月19日
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碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm·k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应..12月19日
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同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到..12月19日
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肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有..12月19日
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