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注意事项: (1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。 (2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。 (3)测正向导通压降时,必须使用 Rx1档。若用 Rx1k档,因测试电流太小,远低于管子的正 常工作电流高压整流二极管系列产品
2024年11月24日 05:51:52
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在SiC-MOSFET中,当向漏极施加负电压时,以源极为基准,体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性,即MOSFET处于关断状态,没有通道电流,因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体二极管的Vf-If特性。正如“何谓碳化硅”中提到的,SiC具有更宽的带隙
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在使用肖特基二极管时,需要注意以下几点: 选择合适的型号:根据实际应用场景选择合适的肖特基二极管型号,以确保其性能满足需求。 控制正向电流:肖特基二极管的正向电流较大时,会产生较大的热量,需要合理控制正向电流以防止过热损坏。 注意反向电压:肖
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通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,直插超快速恢复作为一种高
2024年11月24日 05:51:51
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SBD 在导通过程中没有额外载流子的注入和储存,因而反向恢复电流小,关断过程很快,开关损耗小。传统的硅肖特基二极管,由于所有金属与硅的功函数差都不很大,硅的肖特基势垒较低,硅 SBD 的反向漏电流偏大,阻断电压较低,只能用于一二百伏的低电压场合且不
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最大峰值脉冲功耗PM PM 是TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS 的PM 值,请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下,功耗PM 越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM 下,箝位电压VC 越低,其浪涌电流的承受能力越
2024年11月24日 05:46:23
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