通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，直插超快速恢复作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。
选用快恢复二极管考虑方案位置频率与器件恢复时间上的匹配，其次选择峰值电压多出30%以上的耐压器件型号，终考虑方案对应位置电流的正向压降值在匹配的适当区间。
快速管主要按恢复时间快慢分为三种，分别为75-500ns（快恢复FR系列）、35-75ns（高频HER系列）、35ns以内（超快恢复SF系列）。电压为200-1200V，电压一定恢复时间越快其正向压降越大。同样道理电压选型较大的方案上会加大做小恢复时间的难度。传统超快恢复二极管TRR在35ns以内，电压只做到600V。我司目前已推出三款高压超快恢复二极管芯片800V、1000V、1200V 电流分布区间为3-20A,可适用于所有封装外形。
芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。
在二极管中，超快恢复二极管是一个不可或缺的存在。由于仅有几十纳秒级的反向恢复时间，同时能够禁受得住几百伏甚至上千伏的反向高压，所以它们一直在中高功率的开关整流应用中大显身手。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode,简称FRD)是一种具有快速反向恢复时间的二极管。它在电源电路和高速开关电路中应用广泛，可以提高整流效率、降低电源噪声、减少开关损耗，提高电路的可靠性和稳定性。
快恢复二极管与常规的二极管结构类似，由正向PN结和反向PN结构成。但快恢复二极管在两侧分别加入了一层高浓度的掺杂区域，形成了一个带有浅反型层的PN结。当反向电压施加到二极管上时，由于反型层的存在，使得该层内的载流子在接近PN结时重新被抽出，从而缩短反向恢复时间。
随着电子技术的不断发展，人们对快恢复二极管的要求也越来越高。未来，快恢复二极管将具有以下发展趋势(1)提高电流密度:提高快恢复二极管的电流密度，以适应更高功率的电源和开关应用。(2)降低反向漏电流:降低快恢复二极管的反向漏电流，提高其可靠性和稳定性。
(3)继续提高开关速度:提高快恢复二极管的反向恢复时间和开关速度，以适应更高频率的开关应用。
(4)提高耐辐照性能:提高快恢复二极管的耐辐照性能，以适应更严苛的环境要求。
