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成都生产半导体器件低温烧结银性能可靠,烧结银胶

更新时间:2024-11-29 02:35:12 [举报]

近年来,对于小型化、高功能化的电子零器件(例如功率器件或大功率发光二极管(LED))的需求扩大。功率器件作为可抑制电力损耗并率地转换电力的半导体元件,在电动汽车、快速充电器等领域中普及发展。

大功率LED的功率可以达到数十瓦,工作电流可以是几十毫安到几千毫安不等。大功率LED光源作为第四代电光源,有“绿色照明光源”之称,具有体积小、安全低电压、耗电小、发热小、寿命长、电光转换、方向性好、响应速度快、节能、环保等优良特性,必将取代传统的白炽灯、卤钨灯和荧光灯而成为21世纪的新一代光源。

善仁新材烧结银烧结一般可以分为初期、中期和后期,它们之间没有明显界限。

烧结初期,颗粒在烧结驱动力的作用下会进行一定的重排,增加接触面积,生成烧结颈(necks),烧结初期一直持续到烧结颈的直径达到颗粒直径的0.4~0.5倍。

终阶段时孔洞变得不稳定,相互融合产生更大孔洞。多晶材料中的烧结机理,只有晶界处和烧结颈的缺陷处的体积扩散(volume diffusion)才能产生致密化。

善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术,由于比焊料更能耐受高温,具有的散热性,可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合,很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程,因此有生产效率的问题,且加压装置会增加投资成本。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上,空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上,而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。

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