快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
高压二极管可用于飞行时间质谱实验中的离子加速，其快速响应和高稳定性使得它可以帮助测量各种样品中离子的重量和数量。高压二极管通过控制放电灯和射线发生器的信号脉冲，帮助调节其频率和幅度。这在医学和科学研究中非常重要，因为它使得这些设备可以定位体内或物体内部结构并进行成像。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
