SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不60V，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD、TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
肖特基二极管，一种与传统PN结二极管不同的电子元件，借助金属和半导体之间的势垒效应产生整流效果。在电子学中，这种接触被称为“金属半导体结”，简称肖特基势垒二极管，通常被称为肖特基二极管。主要采用硅（Si）半导体材料制造，也有少量使用砷化镓（GaAs）制作的。
肖特基二极管在电路中有着广泛的应用，包括但不限于整流、续流、保护和小信号检波等功能。它特别适用于低电压、大电流的电路，如驱动器、开关电源、变频器和逆变器等。这些领域中，肖特基二极管能够发挥出其高速、低能耗的特点，提升电路的效率和性能。
肖特基二极管的特点
1、肖特基二极管的高度要比PN结势垒的高度更低，同时它正向导通门限电压以及正向电压都要比PN结二极管低。
2、肖特基二极管是一种多数载流子导电的器件，而且它的电容的充电和放电时间和速度与同类的器件相比有所不同。同时因为肖特基二极管本身的电荷比较的少，所以在正真运行的过程中它的开关的速度是非常快的，而且它在运作过程中的消耗量也是非常小，很适用于那些高频的操作。
3、肖特基二极管具有反向势垒比较薄的特点，因此在运行的过程中容易对表面造成一定的伤害，所以它的反向击穿电压就比较低了。
4、肖特基二极管与其它相似的器件相比，比较容易受热击穿，所以它本身的反向漏电流是比较大的。
肖特基二极管的优点：器件本身具有很高的开关频率，而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使用，使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。
肖特基二极管结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
面结合型管性能要优于点接触管,
主要原因在于:
1) 点接触管表面不易清洁，针点压力会造成半导体表面畸变。其接触势垒不是理想的肖特基势垒受到机械震动时还会产生颤抖噪声。面结合型管金半接触界面比较平整不暴露而较易清洁其接触势垒几乎是理想的肖特基势垒。
2) 不同的点接触管在生产时压接压力不同使得肖特基结的直径不同。因此性能一致性差可靠性也差。
