国内对GaN材料的研究开展得较晚，跟国际上的高水平相比有着较大的差距,但近年来也取得了显著的进展，目前蓝光发光二极管已有实验室样品，并且正在走向产业化。绿光、紫光二极管也已制出样管。白光二极管的制造技术也将一步步走向成熟。
GaN基光电器件已经商业化，而GaN HEMT拥有如此出色的功率特性，但仍没有实现商品化，除了与其相竞争的半导体器件己经牢牢占据了市场，其成本较高以及人们心里层面的问题外，重要的还是因为还有需要解决的问题。相对于Si和其它Ⅲ－Ⅴ族技术，如SiC技术，GaN技术仍不成熟。而且，对GaN HEMT的长期稳定性和可靠性也了解甚少。GaN HEMT漏极电流受频率影响而发生变化，存在漏极电流崩塌现象。该现象影响器件的大RF漏极电流，使其远小于同一或相似器件直流情况下所得到的大电流。
氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热性、良好的化学稳定性、强的抗辐射性、高的内、外量子效率、高的发光效率、高的强度和硬度。其耐磨性接近金刚石)。这种特性和特性可以制成率的半导体发光器件--发光二极管(即发光二极管)和激光器(简称LD)。并可扩展到白光LED和蓝光LD。耐磨性接近金刚石的特性将有助于开启触摸屏、太空载具以及射频（RF）MEMS等需要高速、高振动技术的新应用。
