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静态参数有所不同如通态电阻S0，通常规定，在确定的栅压Vgs下，功率MSOFET由可调电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻，它是影响大输出功率的重要参数由图中看出，可以将功率MOS的vS0、D0忽略为零采用导通阻抗尽可能小的MOSFET和采用器件并联可以减小通态损耗但MOSFET并联无法减小其内部寄生的反并联二极管固定通态压降，因此考虑调制对通态损耗的影响。
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