IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！
IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 D2Pak 封装
优点：
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
SPP17N80C3
IRF100S201
IRFZ48NPBF
IRL520NPBF
SPA20N60C3
IRL40SC228
IRF3415PBF
IRFZ44VPBF
IRF1407PBF
IRFZ46NPBF
SPW17N80C3
IRF250P225
IRF135S203
IRF200P223
SPA11N60C3
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！
英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。
P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择，包括B保护， 崇敬极性保护， 线性电池充电器， 负载开关，直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSZ010NE2LS5ATMA1
BSL215CH6327XTSA1
ISC011N06LM5ATMA1
BSC005N03LS5ATMA1
IRF9540NSTRLPBF
IRF5210STRLPBF
IRLML9301TRPBF
IRLML5203TRPBF
IRLML2402TRPBF
IRFS3607TRLPBF
IRLML6346TRPBF
IRF530NSTRLPBF
IRLML2244TRPBF
IRLML2060TRPBF
IRF5305STRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！
英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。
英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有全球低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌全系例型号大全（部分）：
IKW50N60T
IKW75N60T
IKA15N60T
IKW08T120
IKW15T120
IGW60T120
IKW30N60T
IKW40T120
IKP10N60T
IKP15N60T
IKW40N65H5
IKW50N65H5
IGP20N65H5
IKW30N60H3
IKW40N60H3
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