清洗剂在在线通过式清洗工艺中的性能稳定性，需要有相应的技术手段来进行监测和管控，以清洗性能的发挥或材料兼容性的稳定。在这些监测数据中，重要的是清洗剂的使用浓度可控范围之内，建议使用在线喷淋通过机的用户装配在线清洗剂浓度监测装置，以监测清洗剂在使用中的浓度变化。因为在线喷淋机的设备特性，在使用运行中，清洗剂的浓度变化比较大，如不能有效的监控清洗剂的浓度，将会产生材料兼容性方面的风险。一般来说，清洗剂在机内运行，随着时间的关系，浓度会升高，常规需要通过添加DI水来清洗剂的浓度稳定。使用在线浓度检测仪，可使用人工添加水和自动添加水的方式进行浓度控制。
清洗剂的消耗和寿命。在线通过式喷淋机用水基清洗剂的消耗有三个组成部分: 气雾损耗、被清洗物和网带的带离损耗、清洗剂到达寿命终点的全液更换。在这三项消耗中，大的组成往往是气雾损耗，气雾损耗很大程度是喷淋机固有的机械特性所决定。人为可改变调整的程度不高，用户需在设备选型的时候关注此项技术指标。清洗剂的寿命，以目前的技术手段，无法监测清洗剂的寿命，通常在产线中，以产线的实际检测干净度的标准，观察检测清洗剂的寿命终点，而后，保留和预留一部分安全余量来进行清洗剂全量更换的依据。
往往用户会把清洗剂的浓度和寿命混为一谈，这两项技术指标分属不同的技术内容。寿命影响因素有清洗剂的选型、污垢的成分和在被清洗物上污垢的含量、设置的清洗温度和设备的损耗状况等等因素有关，所以说无法用一个简单固定的方式来评判清洗剂的寿命，需要在生产实际中累计数据，从而界定清洗剂的寿命。
系统级封装（system in package，SIP）是一种新型的封装技术，在IC封装领域，SIP是的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是：“SIP是采用任何组合，将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件，组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言，在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等，更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内，SIP是非常有潜力的技术。
在2DSiP结构中，芯片并排水平贴装在基板上的，贴装不受芯片尺寸大小的限制,工艺相对简单和成熟，但其封装面积相应地比较大，封装效率比较低。3DSiP可实现较高的封装效率，能大限度地发挥SiP的技术优势，是实现系统集成的为有效的技术途径，实际上涉及多种的封装技术，包括封装堆叠（PoP）、芯片堆叠（CoC）、硅通孔（TSV）、埋入式基板（Embedded Substrate）等，也涉及引线键合、倒装芯片、微凸点等其他封装工艺。3DSiP的基本概念正是将可能实现的多种功能集成于一个系统中，包括微处理器、存储器、模拟电路、电源转化模块、光电器件等，还可能将散热通道等部件也集成在封装中，大程度的体现SiP的技术优势。
系统级封装技术可以解决目前我们遇到的很多问题，其优势也是越来越明显，如产品设计的小型化、功能丰富化、产品可靠性等，产品制造也越来越，尤为重要的是，提高了生产效率，并大幅降低了生产成本。当然，难点也是存在的，系统级封装的实现，需要各节点所有技术，而不是某一技术所能实现的，这对封装企业来说，就需要有足够的封装技术积累及可靠的封装平台支撑，如高密度模组技术、晶圆级封装技术等。
IGBT 的导通和关断由栅-射极（即上图中源极）电压 UGE 控制。其工作原理是栅极电压 UGE 为正向电压且 大于开启电压时，IGBT 中的 MOSFET 部分形成沟道，提供基极电流，器件导通，IC和 UGE大部分保持线性； 而在栅极加零或负电压时，沟道消失，基极电流为 0，IGBT 关断。IGBT 导通电阻的降低是因为 PNPN 四层结 构带来的 PN 结电导调制效应。静态电气特性方面高栅-射极电压受大集电极电流限制，饱和区类似 MOS 结构特性有源区类似于晶体管特性，所以 IGBT 主要工作在饱和区（开）和正向阻断区（关）；而动态电气特性 方面，器件导通需要经历栅极正向电压-基极电流产生-集电极电流产生的过程，故有两次延迟；器件关断时因为 没有反向基极电流抽取过量载流子，故只能通过集电极传导，形成拖尾电流。综上，IGBT 可以满足逆变的基本 需求，但开关速度、开关损耗等存在一定劣势。当前硅基 IGBT 系统的综合效率（以逆变器效率计）约 92%， 相比于其峰值效率仍有一定差距。
