名称：平板式可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术：
可控硅又称晶间管，晶间管整流器具有耐压高、容量大、、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点，发展迅猛。在世纪应用中，大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅，其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式，虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热，但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点，其加工要求非常高，且封装时需要经过焊接在内的多道工序，工艺复杂，成本高，封装后良率偏低，返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
可控硅管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极
层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
晶体管的主要参数：
1、反向阻断峰值电压：在额定结温和控制开路的条件下，允许重复加在阳—阴间的大反向阻断电压；
2、正向阻断峰值电压：在额定结温和控制开路及晶闸管正向阻断的条件下，重复加在阳—阴间的大正向阻断电压；
3、正向平均电流：在规定环境温度及散热条件下，允许连续通过工频正弦半波电流的平均值；
4、通态平均电压: 晶闸管导通时管压降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、维持电流：在室温和控制开路时，元件能维持导通状态所需的小阳电流；
6、控制触发电压和触发电流：在温室下，阳—阴间加规定的正向直流电压，使晶闸管导通所需的小控制电压和电流。
