而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。
AS9330半烧结银的 导热系数范围80W/mK-100W/ mK，在银、铜和镍钯金引线框架的封装内电阻更低的热阻（Rth）- 0.4K/W。
AS9330结合了性能、可靠性和可加工性。对于那些希望找到焊料的无铅替代品（无需昂贵或复杂的加工，又能确保与传统材料同等或更优的性能）的封装而言，AS9330烧结银可以全面满足他们的需求，同样也为实现第三代半导体功率的电子互联提供很好解决方案。
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