快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
注意事项:
(1)有些单管，共三个引脚，中间的为空脚,一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
(2)若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
(3)测正向导通压降时,使用 Rx1档。若用 Rx1k档，因测试电流太小，远低于管子的正 常工作电流
快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种主要应用于功率变换电路中的二极管，它的主要作用是能够迅速地回复到初始状态，并且具有较高的反向耐受电压以及较低的正向导通压降。快恢复二极管是半导体器件的一种，与常规二极管相比，其恢复时间更短，符合功率系统对于高频和的需求。
高压二极管可用于飞行时间质谱实验中的离子加速，其快速响应和高稳定性使得它可以帮助测量各种样品中离子的重量和数量。高压二极管通过控制放电灯和射线发生器的信号脉冲，帮助调节其频率和幅度。这在医学和科学研究中非常重要，因为它使得这些设备可以定位体内或物体内部结构并进行成像。
高压整流二极管就是将高压交流整流成为直流的器件，根据交流频率可以分为普通的低频整流桥和高频的快恢复二极管，目前市场上普通的整流桥分为单相和三相整流桥，高电压以1600V为主，高频快恢复二极管一般分为单管，共阴或者共阳的双管，高电压以1200V为主。
高压整流二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性。当正向偏压加在二极管上时,PN结导通,电流能够顺利通过;而当反向偏压加在二极管上时,PN结截止,电流无法通过。这种特性使得高压整流二极管能够将交流电转换为单向脉动的直流电。在电力传输、电子设备电源等领域广泛应用。
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