大峰值脉冲功耗PM
PM 是TVS 能承受的大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS 的PM 值，请查阅有关产品手册。在给定的大箝位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM 下，箝位电压VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS 损坏。
主要用途
由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速 器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
在正常电压条件下，TVS 瞬态抑制二极管表现为开路，但存在少量漏电流。当正常电压超过一定水平时，TVS瞬态抑制二极管结雪崩，结果过电压从被保护电路中分流并通过TVS二极管分流。当过电压消失时，设备会自动复位。
在正常工作条件下，TVS二极管处于反向截止状态，几乎不消耗功率。然而，当遭受瞬态过电压时，其特性会迅速切换到导通状态，并能够在纳秒级别响应时间内吸收大量的过电压能量。这种快速响应和高能量吸收的能力使得TVS二极管成为抑制瞬态过电压的理想选择。
瞬态电压抑制二极管的性能由一系列规格参数来描述。以下是一些常见的规格参数：
峰值脉冲功率（Peak Pulse Power）： TVS二极管能够吸收的过电压脉冲的大功率。较高的峰值脉冲功率表示其能够处理更强的过电压冲击。
额定工作电压（Rated Standoff Voltage）： TVS二极管可以承受的大反向电压。应根据实际需求选择适当的额定工作电压。
响应时间（Response Time）： 从TVS二极管开始导通到吸收过电压能量所需的时间。较低的响应时间表示其对瞬态过电压的抑制能力更强。
大工作温度（Maximum Operating Temperature）： TVS二极管能够正常工作的高环境温度。超出该温度范围可能导致TVS二极管性能下降或损坏。
静态电流（Static Leakage Current）： 在额定工作电压下，TVS二极管的反向漏电流。较低的静态电流表示其在正常工作条件下的功耗更低。
封装类型（Package Type）： TVS二极管可以采用不同的封装形式，如表面贴装（SMD）和插件（Through-Hole）等。选择合适的封装类型与PCB布局和应用环境相匹配。
环境标准（Environmental Standards）： TVS二极管的设计符合特定的环境标准，如RoHS（无铅）和REACH（化学品注册、评估、许可和限制）。这些标准确保了器件的环境友好性和可持续性。
瞬态电压抑制二极管是一种重要的保护元件，用于抑制电路中的瞬态过电压，保护其他的电子元件免受干扰和损害。其原理基于击穿效应，能够迅速响应并吸收过电压能量。在选择TVS二极管时，需考虑其规格参数，如峰值脉冲功率、额定工作电压、响应时间等，以确保其能够有效地抑制瞬态过电压并保护电路的稳定运行。
瞬态指的是在电压或电流中出现的短暂的尖峰信号，这些信号可能会对电路造成损坏。有些瞬态信号只会出现一次，而有些则可能是连续不断地重复出现。这些瞬态信号的幅值范围可以从几毫伏到几千伏不等，持续时间也会从纳秒级别延续到数百毫秒。
瞬态电压抑制器件或TVS是一种用于保护电路免受突然的电压尖峰影响的装置。主要的保护方法是将这些TVS器件与电路并联使用，以防止过压对电路造成影响。有许多类型的TVS器件可用于瞬态电压抑制，如金属氧化物压敏电阻、TVS二极管、齐纳二极管或旁路电容器。根据其工作原理，瞬态电压抑制器可以分为两类：钳位器件和Crowbar器件。钳位器件能够将电压限制在固定水平，并吸收过压事件的额外能量。TVS二极管就是一种钳位器件的例子。
TVS二极管是一种固态PN结二极管，设计用于消除对敏感半导体和电路的突然或瞬时过电压影响。作为一种钳位器件，瞬态电压抑制二极管能够在感应电压超过雪崩击穿电压时吸收过压事件的多余能量，并在过压状态解除后自动复位。尽管标准二极管和齐纳二极管也可以用于过压/瞬态保护，但它们不如TVS二极管稳健，因为标准和齐纳二极管主要用于整流和电压调节。TVS二极管可分为两种类型：单向和双向。单向TVS二极管在正向电路中作为整流器使用，并能承受较大的峰值电流。其符号类似于齐纳二极管。
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