2018年标志性的转变---使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中,为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后,多家国内新能源汽车品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现,如800V高压快充,以及新能源汽车市场的持续扩张,促进了碳化硅的飞速发展。
随着800V碳化硅技术日益普及,善仁新材的烧结银技术为汽车电力电子产品封装提供了革命性的解决方案,其应用前景备受关注。
AS9378烧结银解决了以下三大问题:
1:大面积烧结会大幅增加客户对烧结银膏的用量,而烧结银成本相对较高,作为中国烧结银的者,善仁新材的解决了这一困扰客户的难题。
AS9378烧结银的低温低压烧结效果好:为了适应大面积烧结,烧结银膏需要较低的温度和压力下达到良好的烧结效果,同时需要确保烧结质量的一致性和模块的可靠性。善仁新材利用自主研发的纳米银粉解决了这一问题。
功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品,特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求,例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。
随着技术的不断演进和优化,烧结银技术在高工作温度、高热导率和高可靠性方面的优势将更加明显,善仁新材也在通过技术创新、工艺改进和产业生态合作来推动烧结银的应用。
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