超快恢复二极管(SRD )是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点超快恢复二极管 SRD则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间已接近于肖 特基二极管的指标。它可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电 动机变频调速(V/VF)、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管.
快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种主要应用于功率变换电路中的二极管，它的主要作用是能够迅速地回复到初始状态，并且具有较高的反向耐受电压以及较低的正向导通压降。快恢复二极管是半导体器件的一种，与常规二极管相比，其恢复时间更短，符合功率系统对于高频和的需求。
人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。
通过采用特的掺铂 (Pt) 工艺，超快恢复二极管系列产品可实现快几十nS的反向恢复时间，高反向电压可达一千多伏，额定电流也可以达到上百安，高工作结温为175℃。
高压二极管可用于飞行时间质谱实验中的离子加速，其快速响应和高稳定性使得它可以帮助测量各种样品中离子的重量和数量。高压二极管通过控制放电灯和射线发生器的信号脉冲，帮助调节其频率和幅度。这在医学和科学研究中非常重要，因为它使得这些设备可以定位体内或物体内部结构并进行成像。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
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