构成同轴衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式，由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器，体积肯定要加大，关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展，在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式，一是半导体小功率快调衰减器，如PIN管或FET单片集成衰减器；二是开关控制的电阻衰减网络，开关可以是电子开关，也可以是射频继电器。
当输入功率从10mW变化到额定功率时，衰减量的变化系数表示为dB/（dB*W）。衰减量的变化值的具体算法是将系数乘以总衰减量功率（W）。如：一个功率容量50W，标称衰减量为40dB的衰减器的功率系数为0.001dB/（dB*W），意味着输入功率从10mW加到50W时，其衰减量会变化0.001*40*50=2dB之多！
同轴衰减器是一种用于减小信号功率的器件，它的基本构成包括以下几个主要部分：
内导体（Inner Conductor）：内导体是同轴衰减器的中心导体，通常是一根金属导线或管道，负责传输信号的电流。
外导体（Outer Conductor）：外导体是内导体的外层，通常是一个金属套管，起到屏蔽和保护内导体的作用。
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