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湖南硅通孔填充⼯艺,TSV电镀

更新时间1:2025-02-01 07:01:35 信息编号:fe20t4p481153c 举报维权
湖南硅通孔填充⼯艺,TSV电镀
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供应商 北京汐源科技有限公司 店铺
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关键词 湖南硅通孔填充⼯艺,硅通孔填充⼯艺TSV,硅通孔填充⼯艺晶圆,传感器胶
所在地 北京建国路15号院
徐发杰
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8年

产品详细介绍

TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀,自下⽽上的密封凸点电镀, 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说, TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度,⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC

小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔,Sn/Ag电镀,Cu pillar等电镀制程。
体积小,可对应2寸到8寸晶圆电镀。
只需使用10L或更少的镀液。
配备循环过滤器
配备供排液泵。
Stir Cup

MEMS导电胶 绝缘胶 低应力胶2025D 84-1LMI JM7000
厚膜导电胶84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
厚膜电路胶膜 506胶膜 5020胶膜 厚膜电路灌封胶 厚膜电路用胶 IGBT灌封胶
84-3J绝缘胶 芯片绝缘胶 乐泰导电胶 乐泰三防漆3900, 乐泰绝缘胶,芯片封装胶,
光纤胶,光耦胶,电路灌封胶,传感器灌封胶,电源灌封胶,乐泰UF3808底部填充胶 底部填充剂 微波器件导电胶,低应力底部填充胶,高导热灌封胶,BGA底部填充剂,BGA导热胶,DAF膜,FOW胶膜,DAF胶膜,导电胶膜,导热胶膜,芯片胶膜,封装胶膜,IC胶膜,晶圆胶膜,UF1173射频器件底部填充胶,高频传输胶,相位胶,5G底部填充胶,基站胶。

所属分类:电子产品制造设备/电镀设备

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