厚膜负性光刻胶
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厚膜负性光刻胶 – 删减或添加工艺 | |
· 删减&模型应用
o 硅的深度刻蚀，类如博施工艺（波希法），玻璃及聚合体
o 硅的浮雕模型
· 添加应用
o 用于倒转（装）芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作
· 删减模型的特性
o 的耐温性适用于离子刻蚀及离子铣削制程
o 在深度刻蚀中比正胶有更多的选择性
o 对小于380nm的波长有很好的灵敏度
· 添加应用的特性
o 在电镀制程中有很好的粘附性
o 电镀后用FUTURREX的去胶液易于去除
o 对小于380nm的波长有很好的灵敏度
· 对生产率的影响
o 省去了溶剂显影和溶剂漂洗制程步骤
· 优势
o 良好的线宽控制
o 侧壁的垂直度不随膜后（厚）而变
o 单次旋涂可达到100微米厚度
o 在厚膜应用中有很好的分辨率
o 的光刻速度可以提高曝光效率
o 便于增加功率密度在离子刻蚀/离子铣削制程中，从而提高蚀刻效率
o 单个显影液可适用于正性光刻胶和负性光刻胶
o 无需使用增粘剂
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