3. 开维持泵、真空计电源，真空计档位置V1位置，等待其值小于10后，再进入下一步操作。约需5分钟。
4. 开机械泵、予抽，开涡轮分子泵电源、启动，真空计开关换到V2位置，抽到小于2为止，约需20分钟。
5. 观察涡轮分子泵读数到达250以后，关予抽，开前机和
高阀继续抽真空，抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头，观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子枪电源。 1. 总电源。
2. 同时开电子枪控制Ⅰ和电子枪控制Ⅱ电源：按电子枪控制Ⅰ电源、延时开关，延时、电源及保护灯亮，三分钟后延时及保护灯灭，若后门未关好或水流继电器有故障，保护灯会常亮。
3. 开高压，高压会达到10KV以上，调节束流可到200mA左右，帘栅为20V/100mA，灯丝电流1.2A，偏转电流在1~1.7之间摆动。 1. 关高真空表头、关分子泵。
2. 待分子泵显示到50时，依次关高阀、前级、机械泵，这期间约需40分钟。
离子渗氮：可以在辉光放电条件下，将N、C等元素渗入到零件和模具内部、明显提高表面硬度、抗疲劳等性能和耐腐蚀性，相对于总体渗氮处理时间短、湿度低、变形小、表面性能可控，可用于各种钢铁及钛合金结构件，各种模具和各种不锈钢制品。
等离子体化学气相沉积设备与技术(离子渗氮，氮碳共渗)
等离子体化学气相沉积（PCVD）是一种新型的脉冲直流等离子体辅助沉积硬质镀膜新技术。在一定压力、温度的真空炉内，加入适当比例的不同工作气体，在脉冲电压的作用下，通过辉光放电产生均匀等离子体。在不同工艺条件下，可在被处理工件表面形成各种硬质膜如TiN、TiC、TiCN、(Ti、Si)N、(Ti、Si)CN及多层复合膜等，显微硬度高达HV2000--2500。
发黑通常是由于过早氧化造成的。泛黄一般是因为铝源中含有杂质过多，一般纯度应在4 N或5N以上。无论是涂布机的真空度不达标，都要达到10—7倍Pa。（不准确）。涂敷物品的清洗不，表面残留有清洁剂和水。被涂物品表面温度不合理，温度过高或过低。涂层项目的潜在设置不合理。真空扩散泵油应更换。调节蒸发源的温度，不能太低或太高。如果电子束蒸发，电子束的轰击位置也应该调整。
真空镀膜加工中冷却设备需要提供智能、稳定的冷冻水，来确保真空镀膜工艺中电镀液的温度恒定，所以会选择使用水冷式冷水机来作为真空镀膜加工冷却设备。
一 真空镀膜加工中冷却设备冷水机的作用
真空镀膜加工过程中，真空镀膜机作为主要设备，工作过程中有高频电流过程，电导会在反复过程中产生大量热能并且集聚在一起，需要冷却设备及时地进行冷却，避免设备部件损坏，影响使用寿命；另外，真空镀膜电镀液需要根据电镀产品不同进行温度调节，并保持相对恒温，反复镀膜会造成镀液温度升高，同样需要冷却设备来准确地控制和稳定电镀液的温度。在工业生产控温中，根据真空镀膜加工的实际需求，选用相应规格的冷水机设备来进行、稳定的温度控制调节是经济有效的解决方案。
需要镀膜的被称为基片，镀的材料被称为靶材。 基片与靶材同在真空腔中。
蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。 对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。
直接的镀膜控制方法是石英晶体微量平衡法(QCM)，这种仪器可以直接驱动蒸发源，通过PID控制循环驱动挡板，保持蒸发速率。只要将仪器与系统控制软件相连接，它就可以控制整个的镀膜过程。但是(QCM)的度是有限的，部分原因是由于它监控的是被镀膜的质量而不是其光学厚度。
此外虽然QCM在较低温度下非常稳定，但温度较高时，它会变得对温度非常敏感。在长时间的加热过程中，很难阻止传感器跌入这个敏感区域，从而对膜层造成重大误差。
光学监控是高精密镀膜的的监控方式，这是因为它可以更地控制膜层厚度(如果运用得当)。度的改进源于很多因素,但根本的原因是对光学厚度的监控。
OPTIMAL SWA-I-05单波长光学监控系统，是采用间接测控，结合汪博士开发的光学监控软件，有效提高光学反应对膜厚度变化灵敏度的理论和方法来减少误差，提供了反馈或传输的选择模式和大范围的监测波长。特别适合于各种膜厚的镀膜监控包括非规整膜监控。
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