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原理编辑，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，提拉式单晶炉特点籽晶提拉及旋转部件:实现了籽晶轴较高转速时的系统平稳性；籽晶轴旋转及提拉密封均采用的磁流体密封组件，无泄露，长期使用不需充磁；精密花键轴及各驱动直流伺服电机均为进口件，确保系统具有很高的可靠性。提拉头经过严格的静平衡和动平衡测试，高速旋转下籽晶晃动小于2mm，适应半导体工艺需求。坩埚升降及旋转部件:使用超大铸铁立柱、双滚动直线导航、精密滚珠丝杠以及进口等功能件组合设计，确保坩埚系统在超重低速工况下长期平稳运行。浮动式翻板阀设在主副炉室之间，可在热场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。
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为现有技术的切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。
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