FGH50T65SQD-F155，IGBT模块安森美原装供货

供应商	深圳市鑫富立科技有限公司店铺
认证
报价	人民币 15.00元
关键词	ONSEMI/安森美常用型号15-500
所在地	广东深圳南山南头街道大汪山社区桃源路巷产学研新村22栋502

产品详细介绍

MM74HC08简述：
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

UC2842BD1R2G
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计，为设计人员提供了具有极少外部元件的高性价比解决方案。这些集成电路具有用于占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和非常适合驱动功率 MOSFET 的高电流图腾柱输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FDB075N15A-F085
FDP085N10A-F102
FDI045N10A-F102
FDP020N06B-F102
FDP075N15A-F102
FDP027N08B-F102
FDP023N08B-F102
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NTHL027N65S3HF功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®

功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结（SJ） MOSFET 系列，该系列采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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NCV7805BDTRKG线性稳压器是单片集成电路，设计为固定电压稳压器，适用于各种应用，包括本地卡上调节。这些稳压器采用内部电流限制、热关断和安全区域补偿。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压调节器，但可以与外部元件一起使用，以获得可调节的电压和电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV70628MW001R2G
NCV70517MW002R2G
FFSB2065BDN-F085
FFSH1265BDN-F085
NRVTS1545EMFST1G
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FCH085N80-F155功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET II， 800 V， 46 A， 85 mΩ， TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结（SJ） MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NOIP1SE0480A-STI1
NCV8187AMLE330TCG
FFSH20120ADN-F155
FFSH20120ADN-F155
FFSH40120ADN-F155
FFSH15120ADN-F155
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FSA2567UMX简述：
模拟开关（DPDT、SPDT、SPST 和其他配置），用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、，针对双SIM卡的双掷（4PDT）模拟开关多路复用。它经过优化，可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号，并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容（CON），以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压（VCC）。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序，如手机；允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
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NCP1380DDR2G简述：
NCP1380是一款器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统，随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发，但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷，并切换到变频模式，确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性，该控制器包括一个过功率保护（OPP）电路，该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面，固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后，控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态，或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器特别适用于适配器应用，其引脚可实现组合过压/过热保护（A 和 B 型）或组合掉压/过压保护（C 和 D 型）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FGY120T65SPD-F085
FGH40T65SHDF-F155
FCHD040N65S3-F155
NVD5117PLT4G-VF01
NTMFS002P03P8ZT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G
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CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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