FRED是用外延片、离子注入工艺制备的快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。外延快恢复二极管 (hyper-fast)，其反向恢复时间在 25ns。
FRED的优点之一是其快速的恢复时间。这是通过在设计过程中采用轻掺杂垒和多级抑制垒等技术来实现的。这些技术能够减小反向恢复电荷和恢复时间，从而降低开关损失和提高开关频率。这使得FRED非常适合用于高频电路、电力电子设备、换流器和逆变器等领域。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
快恢复二极管，英文缩写为FRD，是一种具有快速恢复特性的二极管。相较于普通二极管，其反向恢复时间更短，能够适应高频和的工作环境。快恢复二极管的主要由两个PN结组成，同时加上定向的掺杂使得它的工作性质发生了改变，可以在高频连续反向偏置能下实现快速恢复。
当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从正向电流到反向电流所需的恢复时间）和Qrr（它代表正向电流到反向电流所需的恢复电荷，这两项指标是衡量高频整流器件性能的重要技术指标。
人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。
高压二极管可用于飞行时间质谱实验中的离子加速，其快速响应和高稳定性使得它可以帮助测量各种样品中离子的重量和数量。高压二极管通过控制放电灯和射线发生器的信号脉冲，帮助调节其频率和幅度。这在医学和科学研究中非常重要，因为它使得这些设备可以定位体内或物体内部结构并进行成像。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。
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