通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。
随着电子技术的不断发展，人们对快恢复二极管的要求也越来越高。未来，快恢复二极管将具有以下发展趋势(1)提高电流密度:提高快恢复二极管的电流密度，以适应更高功率的电源和开关应用。(2)降低反向漏电流:降低快恢复二极管的反向漏电流，提高其可靠性和稳定性。
(3)继续提高开关速度:提高快恢复二极管的反向恢复时间和开关速度，以适应更高频率的开关应用。
(4)提高耐辐照性能:提高快恢复二极管的耐辐照性能，以适应更严苛的环境要求。
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