电容量C
电容量C 是TVS 雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大小与TVS 的电流承受能力成正比，C 过大将使信号衰减。因此，C 是数据接口电路选用TVS 的重要参数。
瞬态抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
瞬态电压抑制二极管的工作原理基于击穿效应。当电路中出现过电压时，TVS二极管的反向截止区会迅速击穿，形成一个低电阻的通路。这使得过电压能量被吸收，并将其引流到地，保护其他电子元件免受损害。
在正常工作条件下，TVS二极管处于反向截止状态，几乎不消耗功率。然而，当遭受瞬态过电压时，其特性会迅速切换到导通状态，并能够在纳秒级别响应时间内吸收大量的过电压能量。这种快速响应和高能量吸收的能力使得TVS二极管成为抑制瞬态过电压的理想选择。
瞬态电压抑制二极管是一种重要的保护元件，用于抑制电路中的瞬态过电压，保护其他的电子元件免受干扰和损害。其原理基于击穿效应，能够迅速响应并吸收过电压能量。在选择TVS二极管时，需考虑其规格参数，如峰值脉冲功率、额定工作电压、响应时间等，以确保其能够有效地抑制瞬态过电压并保护电路的稳定运行。
TVS二极管是一种固态PN结二极管，设计用于消除对敏感半导体和电路的突然或瞬时过电压影响。作为一种钳位器件，瞬态电压抑制二极管能够在感应电压超过雪崩击穿电压时吸收过压事件的多余能量，并在过压状态解除后自动复位。尽管标准二极管和齐纳二极管也可以用于过压/瞬态保护，但它们不如TVS二极管稳健，因为标准和齐纳二极管主要用于整流和电压调节。TVS二极管可分为两种类型：单向和双向。单向TVS二极管在正向电路中作为整流器使用，并能承受较大的峰值电流。其符号类似于齐纳二极管。
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