基于以上两款焊料的不足，烧结银产品应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。
经过第三方的测试，善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，大家可能对93.277MPa没有概念，作为对比，目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa，美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。
银烧结对于电力设备的封装来说具有众多的优势，尤其是压力是非常重要的，关键的因素。流程参数的控制也是非常重要的，实时的控制动力插入技术将会提供更加准确的烧结控制方法，功率输入的可靠性，性能非常的好。
通过烧结银的纳米颗粒物可以增强这种材料的连接能力，以及它的张力，所以银是非常好的材料，只有银的纳米材料才能呈现这样的结构，所以银在我们制造烧结连接器件的时候发挥了非常重要的作用。
有压烧结银AS9385工艺流程： 清洁粘结界面；界面表面能太低，建议增加界面表面能；粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀；另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下； 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）
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