纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上，做主要的控制元器件，而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度，比Si小近千倍的导通电阻，多20倍左右的开关频率等性。
由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。
③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。
另外，善仁新材研究院发现：较大面积的互连会导致较差的互连质量，其原因是增加的互连面积阻止了有机成分被燃尽，会导致更高的的孔隙率，针对这种现象，善仁新材提出了两个解决方案：
其一为改变芯片尺寸，好控制在5×5 mm2以内；其二是在烧结银中添加“特殊物质”。善仁新材公司通过控制烧结温度、温升速度、烧结时间研究出一种烧结方法，在针对10×10mm2的大面积连接时，既降低了烧结温度，又将烧结后的剪切强度提升至50MPa左右。
纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系，采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片，几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片，空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成，在250℃烧结时，空隙会很少。
进口烧结银替代耐温600度银膏Tpack烧结银
1500元
产品名：低温烧结纳米银膏AS9375,进口烧结银替代,浙江烧结银,上海烧结银,国产烧结银,广东烧结银,江苏烧结银
半烧结导电胶,无压烧结银,银烧结
189000元
产品名：烧结银膏,无压烧结银,纳米烧结银,低温烧结银,烧结银膏
善仁可拉伸导电油墨,浙江订制智能家居和导电油墨解决方案安全可靠
12000元
产品名：导电油墨在智能家居的应用,导电银浆,可拉伸导电油墨,纳米银浆
Alwaystone高导热银胶,江苏环保高导热导电银胶
9980元
产品名：高导热导电银胶,导热银胶,高导热银胶
Alwaystone烧结纳米银膏纳米银膏
118元
产品名：烧结纳米银膏,纳米银膏,纳米银
低温烧结纳米银胶
2600000元
产品名：银胶,烧结银
透明导电油墨
28000元
产品名：导电油墨,导电银浆
导电银浆
12000元
产品名：导电银浆