而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。
AS9330半烧结银无需高温高压，可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。
半烧结银AS9330可以粘结金、银、铜、镍钯金、引线框架等多种材质，适用∩宽泛的芯片粘结尺寸：从1*1mm2至8*8mm2（Die Size）不等。当然，烧结温度随着芯片尺寸的大小要做适当的调整。
AS9330结合了性能、可靠性和可加工性。对于那些希望找到焊料的无铅替代品（无需昂贵或复杂的加工，又能确保与传统材料同等或更优的性能）的封装而言，AS9330烧结银可以全面满足他们的需求，同样也为实现第三代半导体功率的电子互联提供很好解决方案。
半烧结银AS9330粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽； 一个界面涂布烧结银AS9330时，涂布的要均匀
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