注意事项:
(1)有些单管，共三个引脚，中间的为空脚,一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
(2)若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
(3)测正向导通压降时,使用 Rx1档。若用 Rx1k档，因测试电流太小，远低于管子的正 常工作电流
快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种主要应用于功率变换电路中的二极管，它的主要作用是能够迅速地回复到初始状态，并且具有较高的反向耐受电压以及较低的正向导通压降。快恢复二极管是半导体器件的一种，与常规二极管相比，其恢复时间更短，符合功率系统对于高频和的需求。
快恢复二极管，英文缩写为FRD，是一种具有快速恢复特性的二极管。相较于普通二极管，其反向恢复时间更短，能够适应高频和的工作环境。快恢复二极管的主要由两个PN结组成，同时加上定向的掺杂使得它的工作性质发生了改变，可以在高频连续反向偏置能下实现快速恢复。
快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下，PN 结进入导通状态；在反向偏置下，PN 结处于截止状态。而在开关过程中，如果仅对快速的电压反转产生响应，就需要使快恢复二极管处于反向偏置，在这个过程中，快恢复二极管会从截止状态变成导通状态，从而完成反向电流的捕获，并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷，然后通过晶体管将这种载体导出，继续增强元器件的恢复速度。因此，快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。
人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
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