随着二极管制与半导体的结合其生产材质与制作工艺逐步升级，突破了原有光亮、颜色的限制，大量应用蓝色二极管、发光二极管，提升了显示光亮度。进而提升了LED显示屏幕在室外环境中的优势，可适应不同显示要求，提升LED在不同环境中的有效价值。对于LED显示屏性能的评价是综合考量的结果，因其相关性能指标都是密切相关的，亮度、视角、分辨率等指标相互影响。当前在高密度、全彩色室内显示屏中利用表贴LED器件提升显示屏获的视角、亮度性能。
早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20 毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。
90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。
GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG 荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。
近几年,白光LED的研发成果：2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm(lumen，流明)，他们均使用1mm大小的芯片并驱动于350mA下;美国LED大厂Cree公司宣布,其白光发光二极管实现每瓦161lm/W.可见,白光LED在高发光效率,高照明方面有着诱人的前景.
在LED业者中，日亚化学是早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED，以及蓝紫光半导体激光（Laser Diode；LD），是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。在日亚化学取得蓝色LED生产及电极构造等众多基本专利后，坚持不对外提供授权，仅采自行生产策略，意图占市场，使得蓝光LED价格高昂。但其他已具备生产能力的业者相当不以为然，部分日系LED业者认为，日亚化工的策略，将使日本在蓝光及白光LED竞争中，逐步被欧美及其他国家的LED业者抢得先机，届时将对整体日本LED产业造成严重伤害。因此许多业者便千方百计进行蓝光LED的研发生产。
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