功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
FET用作具有两个触点的导电半导体通道-“源极”和漏极。 GATE结可以被理解为作为MOS结构的2端子电路，该MOS结构用作整流反向偏置模式。 通常，在经典工作情况下，GATE阻抗较高。根据这些标准的FET通常是MOSFET，JFET，金属半导体FET（MESFET）和异质结构FET。 在这些FET中，MOSFET是重要的晶体管之一，通常用于各种应用。
在硅基MOSFET中，GATE端子通常由特定的SiO2层绝缘。 导电通道的电荷载流子产生相反的电荷，在这种情况下，n通道为e型p型衬底，p通道为n型衬底“空穴”。 这将通过在GATE端子上施加电压在硅绝缘体边缘的半导体中感应到。 e-将进入和离开n +源极和漏极端子的通道，此通道为n通道金属氧化物半导体场效应晶体管。 在p型金属氧化物半导体场效应晶体管期间，这将是p +触点。
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