FRED是用外延片、离子注入工艺制备的快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。外延快恢复二极管 (hyper-fast)，其反向恢复时间在 25ns。
快恢复二极管，英文缩写为FRD，是一种具有快速恢复特性的二极管。相较于普通二极管，其反向恢复时间更短，能够适应高频和的工作环境。快恢复二极管的主要由两个PN结组成，同时加上定向的掺杂使得它的工作性质发生了改变，可以在高频连续反向偏置能下实现快速恢复。
快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下，PN 结进入导通状态；在反向偏置下，PN 结处于截止状态。而在开关过程中，如果仅对快速的电压反转产生响应，就需要使快恢复二极管处于反向偏置，在这个过程中，快恢复二极管会从截止状态变成导通状态，从而完成反向电流的捕获，并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷，然后通过晶体管将这种载体导出，继续增强元器件的恢复速度。因此，快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。
面对高频应用，人们总是希望trr更短，二极管恢复更快。我们熟悉的肖特基二极管在高频应用中有非常好的表现，trr可以低至几十甚至几nS，Qrr可以低至几十nC。但是，所谓“人无完人”，肖特基二极管也有它的弱点，即反向漏电流大，反向耐压低，所以可以用在低电压场合，但不能在几百伏的高压应用中工作。
人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。
高压整流二极管就是将高压交流整流成为直流的器件，根据交流频率可以分为普通的低频整流桥和高频的快恢复二极管，目前市场上普通的整流桥分为单相和三相整流桥，高电压以1600V为主，高频快恢复二极管一般分为单管，共阴或者共阳的双管，高电压以1200V为主。
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