名称：平板式可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术：
可控硅又称晶间管，晶间管整流器具有耐压高、容量大、、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点，发展迅猛。在世纪应用中，大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅，其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式，虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热，但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点，其加工要求非常高，且封装时需要经过焊接在内的多道工序，工艺复杂，成本高，封装后良率偏低，返工需破坏性地拆封。
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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种
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晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
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可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极：阳极、阴极和控制极。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
可控硅的出现使得半导体技术由弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通业等各行各业争相使用的元件，可控硅整流元件的简称，有时也将其称为晶闸管。可控硅是一个具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件，具有体积小、结构简单、功能强、抗高，现已广泛应用于电视机、电冰箱、无线电遥控、摄像机、定时控制器等设备中。
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