快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了t值,还降低了瞬态正向 压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向 压降约为 0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小,使其 trr可低至几十纳秒。
通过采用特的掺铂 (Pt) 工艺,超快恢复二极管系列产品可实现快几十nS的反向恢复时间,高反向电压可达一千多伏,额定电流也可以达到上百安,高工作结温为175℃。
高压二极管检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压二极管,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压二极管已软击穿损坏。
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