快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
面对高频应用，人们总是希望trr更短，二极管恢复更快。我们熟悉的肖特基二极管在高频应用中有非常好的表现，trr可以低至几十甚至几nS，Qrr可以低至几十nC。但是，所谓“人无完人”，肖特基二极管也有它的弱点，即反向漏电流大，反向耐压低，所以可以用在低电压场合，但不能在几百伏的高压应用中工作。
人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件，实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
高压二极管是将若干个台面型芯片叠在一起，从而实现高耐压的层状单元型结构，采用特的新型结构保护胶钝化，环氧树脂封装。具有性能稳定、高耐湿、高耐热等特点。主要用于微波炉、汽车点火器、安全电表及其他电子设备高压电源整流，保护高压线路。
高压整流二极管是一种特殊的半导体器件,主要用于高电压交流到直流的转换。它由PN结构构成,具有单向导电特性,可以在大电压和大电流条件下工作。高压整流二极管的结构包括金属电极、半导体材料、隔离层等,能够承受高达数千伏的反向电压,在整流电路中扮演着至关重要的角色。
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