快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
面对高频应用，人们总是希望trr更短，二极管恢复更快。我们熟悉的肖特基二极管在高频应用中有非常好的表现，trr可以低至几十甚至几nS，Qrr可以低至几十nC。但是，所谓“人无完人”，肖特基二极管也有它的弱点，即反向漏电流大，反向耐压低，所以可以用在低电压场合，但不能在几百伏的高压应用中工作。
人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管，但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降，对比于肖特基二极管，它的trr也比较高，达到数百纳秒。因此，如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。
高压整流二极管就是将高压交流整流成为直流的器件，根据交流频率可以分为普通的低频整流桥和高频的快恢复二极管，目前市场上普通的整流桥分为单相和三相整流桥，高电压以1600V为主，高频快恢复二极管一般分为单管，共阴或者共阳的双管，高电压以1200V为主。
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。
高压整流二极管是一种特殊的半导体器件,主要用于高电压交流到直流的转换。它由PN结构构成,具有单向导电特性,可以在大电压和大电流条件下工作。高压整流二极管的结构包括金属电极、半导体材料、隔离层等,能够承受高达数千伏的反向电压,在整流电路中扮演着至关重要的角色。
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