截至2021年底，国内基于化学法和物理法的分别代表不同技术路线的首条示范线在上饶和保定建成。其中化学法的晶硅光伏组件环保处理示范线，产能超过12 MW/年，突破了电池/玻璃低损拆解技术和装备，实现总质量回收率92%、银/硅/铜回收率95%/95%/98；物理法的晶硅光伏组件环保处理示范线，成功研制组件拆解、组分静电分离核心装备，实现总质量回收率99.7%、银/硅/铜回收率达到94.3%/97.7%/97.1%，产能超过10 MW/年。
硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。
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