SiC 肖特基势垒二极管在 1985 年问世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基势垒高度用电容测量是 1.15 (±0.15) eV，用光响应测量是 1.11 (±0.03) eV，它的击穿电压只有8 V，只6H-SiC肖特基二极管的击穿电压大约有200 V，它是由 Glover. G. H 报道出来的。Bhatnagar 报道了个高压 400 V 6H-SiC 肖特基势垒二极管 ，这个二极管有低通态压降（1 V），没有反向恢复电流。随着碳化硅单晶、外延质量及碳化硅工艺水平不断地不断提高，越来越多性能的碳化硅肖特基二极管被报道。1993 年报道了只击穿电压超过 1000V的碳化硅肖特基二极管，该器件的肖特基接触金属是 Pd，它采用 N 型外延的掺杂浓度1×10cm，厚度是 10μm。的4H-SiC单晶的在 1995 年左右出现，它比6H-SiC的电子迁移率要高，临界击穿电场要大很多，这使得人们更倾向于研究4H-SiC的肖特基二极管。
国内的SiC功率器件研究方面因为受到 SiC 单晶材料和外延设备的限制起步比较晚，但是却紧紧跟踪国外碳化硅器件的发展形势。国家十分重视碳化硅材料及其器件的研究， 在国家的大力支持下经已经初步形成了研究 SiC 晶体生长、SiC器件设计和制造的队伍。电子科技大学致力于器件结构设计方面，在新结构、器件结终端和器件击穿机理方面做了很多的工作，并且提出宽禁带半导体器件优值理论和宽禁带半导体功率双极型晶体管特性理论。
金属与半导体接触时，载流子流经肖特基势垒形成的电流主要有四种输运途径。这四种输运方式为：
1、N 型 4H-SiC 半导体导带中的载流子电子越过势垒顶部热发射到金属；
2、N 型 4H-SiC 半导体导带中的载流子电子以量子力学隧穿效应进入金属；
3、空间电荷区中空穴和电子的复合；
4、4H-SiC 半导体与金属由于空穴注入效应导致的的中性区复合。
碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上。相对应的，硅材料的禁带宽度较低，在较低的温度下硅器件本征载流子浓度较高，而高的漏电流会造成热击穿，这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。
碳化硅（SiC）是一种的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的器件。
特点是：
（1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小；
（2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V；
（3）碳化硅有较高的热导率；
（4）碳化硅器件可在较高温度下工作，而硅器件的大工作温度仅为150ºC；
（5）碳化硅具有很高的抗辐照能力；
（6）碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好；
（7）碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小；
（8）碳化硅器件可减少功率器件体积和降低电路损耗。
中山供应整流高压二极管多少钱一个
面议
产品名：整流高压二极管
深圳好用的氮化镓二极管厂家直销
面议
产品名：氮化镓二极管
静安出售FRED快恢复二极管厂家直销
面议
产品名：FRED快恢复二极管
杨浦生产销售碳化硅肖特基二极管现货供应
面议
产品名：碳化硅肖特基二极管
泰州超快恢复高压二极管联系方式
面议
产品名：超快恢复高压二极管
泰州生产肖特基二极管联系方式
面议
产品名：肖特基二极管
安徽生产瞬态抑制二极管多少钱一个
面议
产品名：瞬态抑制二极管
泰州生产整流桥现货供应
面议
产品名：整流桥